NXH003P120M3F2PTHG
Артикул:
NXH003P120M3F2PTHG
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит исключительно ознакомительный характер.
Описание
Полумостовые модули NXH00xP120M3F2PTxG NXH00xP120M3F2PTxGEliteSiC
Полумостовые модули NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC производства компании onsemi представляют собой двухкомпонентные модули с двумя МОП-транзисторами на основе карбида кремния 3 м&Omega или 4 м&Omega 1200 В и терморезистором с подложкой из оксида алюминия легированного цирконием (HPS) подложкой DBC или Si3N4  DBC. В МОП-транзисторах на основе карбида кремния в корпусе F2 применяется технология M3S и поддерживается диапазон управления драйвера затвора от 15 до 18 В. Сферы применения данного устройства включают в себя системы с преобразованием постоянного тока в переменный постоянного тока в постоянный а также переменного тока в постоянный.
Полумостовые модули NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC производства компании onsemi представляют собой двухкомпонентные модули с двумя МОП-транзисторами на основе карбида кремния 3 м&Omega или 4 м&Omega 1200 В и терморезистором с подложкой из оксида алюминия легированного цирконием (HPS) подложкой DBC или Si3N4  DBC. В МОП-транзисторах на основе карбида кремния в корпусе F2 применяется технология M3S и поддерживается диапазон управления драйвера затвора от 15 до 18 В. Сферы применения данного устройства включают в себя системы с преобразованием постоянного тока в переменный постоянного тока в постоянный а также переменного тока в постоянный.
Спецификации
Производитель
|
onsemi |
Упаковка
|
Tray |
Подкатегория
|
Discrete Semiconductor Modules |
Производитель
|
onsemi |
Категория продукта
|
Дискретные полупроводниковые модули |
Продукт
|
Silicon Carbide (SiC) Module |
Минимальная рабочая температура
|
- 40 C |
Максимальная рабочая температура
|
+ 175 C |
Тип
|
SiC M3 MOSFET |
Торговая марка
|
onsemi |
Тип продукта
|
Discrete Semiconductor Modules |
Задать вопрос
Отзывы
Задать вопрос
Будьте всегда в курсе!
Узнавайте о скидках и акциях первым