BSM450D12P4G102
Артикул:
BSM450D12P4G102
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит исключительно ознакомительный характер.
Описание
SiC Power Modules
ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation E Type models that integrate an additional thermistor are offered.
ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation E Type models that integrate an additional thermistor are offered.
Спецификации
Производитель
|
ROHM Semiconductor |
Упаковка
|
Bulk |
Подкатегория
|
Discrete Semiconductor Modules |
Производитель
|
ROHM Semiconductor |
Категория продукта
|
Дискретные полупроводниковые модули |
Торговая марка
|
ROHM Semiconductor |
Тип продукта
|
Discrete Semiconductor Modules |
Задать вопрос
Отзывы
Задать вопрос
Будьте всегда в курсе!
Узнавайте о скидках и акциях первым