SiSS4402DN-T1-GE3
Артикул:
SiSS4402DN-T1-GE3
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит исключительно ознакомительный характер.
Описание
TrenchFET® MOSFETs
Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9m&Omega in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range 375W power dissipation rating and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels SMD and through-hole mounting and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.
Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9m&Omega in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range 375W power dissipation rating and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels SMD and through-hole mounting and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.
Спецификации
Производитель
|
Vishay / Siliconix |
Подкатегория
|
MOSFETs |
Производитель
|
Vishay |
Категория продукта
|
МОП-транзистор |
Минимальная рабочая температура
|
- 55 C |
Максимальная рабочая температура
|
+ 150 C |
Торговая марка
|
Vishay / Siliconix |
Тип продукта
|
MOSFET |
Задать вопрос
Отзывы
Задать вопрос
Будьте всегда в курсе!
Узнавайте о скидках и акциях первым